SK Hynix dự kiến sẽ là công ty đầu tiên trên thế giới sản xuất hàng loạt DRAM sử dụng quy trình 1c 10nm tiên tiến, có thể sớm nhất là vào tháng tới.
Theo nguồn tin từ ngành công nghiệp, ông Cha Seon-yong, Viện trưởng Viện Nghiên cứu Công nghệ Tương lai của SK Hynix, đã thông báo trong một sự kiện giao lưu với nhân viên vào ngày 15/1 rằng DRAM thế hệ thứ 6 10nm đã “đạt chứng nhận sản xuất hàng loạt (mass qualification)” vào ngày 14/1.
Điều này có nghĩa là chất lượng và năng suất của DRAM thế hệ thứ 6 đã đạt đến mức đủ để sản xuất hàng loạt. SK Hynix dự kiến sẽ chuyển giao công việc liên quan từ bộ phận phát triển sang bộ phận sản xuất và bắt đầu sản xuất hàng loạt sớm nhất là vào tháng tới. Trước đó, vào tháng 8 năm ngoái, SK Hynix đã công bố phát triển thành công DDR5 16Gb sử dụng quy trình 1c. Việc sản xuất hàng loạt đang diễn ra thuận lợi.
DRAM thế hệ thứ 6 được kỳ vọng sẽ giúp giảm mức tiêu thụ điện năng của trung tâm dữ liệu lên đến 30%, một yếu tố quan trọng trong bối cảnh kỷ nguyên trí tuệ nhân tạo (AI) đang bùng nổ. SK Hynix có kế hoạch áp dụng công nghệ 1c cho các sản phẩm trong tương lai, bao gồm cả HBM4E, bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 7.
Nguồn: https://vnreview.vn/threads/sk-hynix-lai-di-truoc-samsung-thuong-mai-cong-nghe-ram-10nm.53190/
Be the first to comment